Modelo AlN

AlN no Modelo Safira

Modelos de AlN baseados em safira estão disponíveis em múltiplos tamanhos de pastilhas e espessuras e orientações de AlN personalizáveis; modelos de AlN sobre safira com alta qualidade cristalina e baixa densidade de defeitos são adequados tanto para P&D quanto para desenvolvimento de dispositivos.

Substrato — Safira do plano C (outras orientações disponíveis)
Tamanho — 2", 4", 6", personalizável
Espessura da Epi — 0,5~5μm
Acabamento superficial — Epi-Ready
XRD FWHM (0002) — Arcseg típico de <500
Especificação personalizada — Aceitável
Pacote — Cassete de wafer único, selado a vácuo

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Especificações Detalhadas

Especificações publicadas por diâmetro de pastilha.

Select a diameter to review the corresponding published specification set.

Parâmetro	AlN no Modelo Safira
Material do Substrato	Safira (Al₂O₃)
Orientação do Substrato	padrão C-plane; Outras orientações disponíveis
Tamanho	2", 4", 6" e personalizado
Espessura do filme AlN	0,5–5μm (otimizável por aplicação)
Rugosidade da superfície (AFM)	Ra
XRD FWHM (0002)	Tipicamente

Aplicações

Onde essa pastilha entrega valor

LEDs de UV profundo

Os modelos de AlN-on-sapphire são amplamente usados como plataforma inicial para LEDs UVC baseados em AlGaN, especialmente para emissão de UV na faixa de aproximadamente 200–280nm.

Diodos laser UV

Adequado como modelo epitaxial para o desenvolvimento de estruturas de diodos laser UV baseadas em AlGaN e outros dispositivos optoeletrônicos de comprimento de onda curto.

AlGaN / Epitaxia AlN

Usado como modelo para o crescimento subsequente de AlGaN, AlN e estruturas epitaxiais de banda larga relacionadas para pesquisa e desenvolvimento de dispositivos.

Dispositivos baseados em GaN

AlN-on-sapphire também pode ser usado como uma plataforma de nucleação ou tampão engenheirada para estruturas eletrônicas e RF baseadas em GaN selecionadas, dependendo do projeto epitaxial alvo.

FAQ

Perguntas comuns sobre este produto

Respostas rápidas sobre seleção de materiais, personalização, testes e pedido.

Quais espessuras de AlN estão disponíveis?

A espessura típica do filme de AlN varia de 0,5μm a 5μm. A espessura pode ser personalizada de acordo com a estrutura epitaxial alvo.

A superfície de AlN é adequada para crescimento epitaxial adicional?

Sim. Os moldes são fornecidos com uma superfície lisa e pronta para epi, adequada para camadas epitaxiais subsequentes de AlGaN, AlN e relacionadas.

Você pode fornecer modelos de AlN para desenvolvimento de LEDs de DUV?

Sim. Nossos modelos AlN-on-sapphire podem ser usados como plataforma inicial para LEDs UVC baseados em AlGaN e outras estruturas de dispositivos DUV.

Você pode fornecer exemplos para projetos de P&D?

Sim. Pequenas quantidades e especificações personalizadas podem ser discutidas para pesquisa e desenvolvimento de protótipos.

Investigação Técnica

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