Substrato de Silício

Substrato de Silício

O Power Wafertech Group fornece pastilhas de silício monocristalino para fabricação de dispositivos semicondutores, MEMS, crescimento epitaxial e aplicações de pesquisa. Podem ser fornecidos tanto wafers de silício de grau primário quanto de grau de teste.

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Pastilha Epitaxial de Silício

Pastilha Epitaxial de Silício

O Power Wafertech Group fornece pastilhas epitaxiais de silício (wafers Si epi) cultivadas por epitaxia avançada de CVD. Camadas epitaxiais de silício controladas com precisão são depositadas sobre substratos condutores para alcançar a espessura, perfil de dopagem e resistividade necessários para a fabricação de dispositivos semicondutores.

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Pastilha de Dióxido de Silício

Pastilha de Dióxido de Silício

O Power Wafertech Group fornece pastilhas de dióxido de silício (SiO₂ on Si) fabricadas por oxidação térmica controlada de substratos de silício. Tanto a oxidação térmica seca quanto a oxidação térmica úmida estão disponíveis para diferentes espessuras de óxido e requisitos de processo. Nossas pastilhas SiO₂ apresentam espessura controlada de óxido, boa uniformidade no nível das pastilhas e superfícies prontas para epi/processo.

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Pastilhas Epitaxiais Semicondutoras III-V

Pastilha Epitaxial Semicondutora III-V

A PWG oferece soluções epitaxiais baseadas em substratos InP, GaSb e GaAs, abrangendo heteroestruturas para HEMTs, pHEMTs, HBTs, diodos laser, fotodetectores, VCSELs, detectores infravermelhos e outros dispositivos III-V.

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Pastilhas compostas III-V

Pastilha InSb

Com uma banda banda direta ultra-estreita de aproximadamente 0,17 eV a 300 K e mobilidade eletrônica excepcionalmente alta, o InSb é particularmente adequado para detecção infravermelha de comprimento de onda média (MWIR) na faixa de 3–5 μm. A PWG fornece pastilhas de Antimoneto de Índio (InSb) do tipo N e P para detecção infravermelha de alta sensibilidade, detecção magnética e eletrônica criogênica.

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Pastilhas compostas III-V

InP Wafer

O fosfeto de índio (InP) é um semicondutor composto III-V com uma banda proibida direta (1,34eV a 300K) e mobilidade eletrônica maior que o GaAs. Ele oferece desempenho superior em três áreas-chave: RF de alta frequência (até a faixa THz), optoeletrônica de comprimento de onda longo (1,3–1,55μm) e circuitos integrados fotônicos de baixo ruído de fase.

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