Pastilhas SiC

Substrato SiC

Pastilhas de substrato SiC para aplicações de potência, RF, optoeletrônica e semicondutores avançados. Disponível nas versões 4H-SiC, 6H-SiC e 3C-SiC, com opções tipo N, tipo P e semi-isolantes, múltiplos tamanhos de wafers, níveis de doping e acabamentos de superfície.

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Pastilhas SiC

Epitaxia SiC

Nossas pastilhas epitaxiais de SiC – cultivadas por CVD em substratos de SiC – proporcionam uniformidade bem controlada e baixa densidade de defeitos, formando uma plataforma confiável para SBD, MOSFET, JFET, IGBT, GTO, BJT e assim por diante, de 600V a 10kV.

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Pastilhas GaN

GaN Template

Os modelos de GaN da PWG consistem em uma camada epitaxial de GaN de alta qualidade cristalina cultivada sobre substratos estrangeiros, oferecendo um equilíbrio ideal entre desempenho, gestão térmica e eficiência de custos.

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Pastilhas GaN

Epitaxia LED GaN

As pastilhas epitaxiais de LED GaN da PWG são heteroestruturas prontas para fabricar cultivadas por MOCVD, projetadas para alta eficiência quântica interna (IQE), emissão uniforme e desempenho robusto.

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Pastilhas GaN

Epitaxia GaN HEMT

As pastilhas epitaxiais GaN HEMT são heteroestruturas AlGaN/GaN de crescimento preciso projetadas para dispositivos de comutação de alta frequência e alta potência.

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Pastilhas GaN

Substrato GaN independente

Substratos independentes (FS) de GaN são pastilhas de GaN a granel que eliminam o molde de crescimento estranho (por exemplo, safira ou silício), fornecendo uma plataforma nativa com densidade de discordância significativamente reduzida. Isso permite melhorar o desempenho, confiabilidade e vida útil dos dispositivos em aplicações exigentes

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