Substratos de GaN independentes (FS) são pastilhas nativas de GaN a granel, eliminando substratos estranhos (safira/silício). Com densidade de discordância ultrabaixa e alta qualidade cristalina, fornecendo a plataforma definitiva para diodos laser de alto desempenho, Micro-LEDs e dispositivos RF.

O molde de GaN da PWG refere-se a camadas epitaxiais de GaN de alta qualidade cultivadas sobre substratos de safira, silício ou SiC. Fornecendo uma plataforma econômica e pronta para epinefria para o crescimento subsequente do GaN e fabricação avançada de dispositivos.

As pastilhas epitaxiais de LED GaN da PWG são heteroestruturas AlGaN/InGaN cultivadas em MOCVD, projetadas para LEDs de alta eficiência UV, azul e verde. Com estruturas precisas de poço múltiplo quântico (MQW), essas pastilhas de epi oferecem alta eficiência quântica interna (IQE), emissão uniforme e confiabilidade superior do dispositivo.

Estruturas HEMT AlGaN/GaN cultivadas com precisão para comutação de RF de alta frequência e alta potência. Com buffers de baixo defeito e canais 2DEG de alta densidade para desempenho superior do dispositivo.

Pastilhas premium de substrato SiC para dispositivos de energia, RF e optoeletrônicos. Disponível em politipos 4H, 6H e 3C, com opções tipo N, tipo P e semi-isolante. Oferecido em tamanhos de 2"–12" com acabamentos prontos para Epi para fabricação avançada de semicondutores.

Pastilhas epitaxiais SiC cultivadas por CVD, proporcionando excelente uniformidade de espessura e baixa densidade de defeitos. Projetado para dispositivos de energia de 600V a 10kV (SBDs, MOSFETs, IGBTs), permitindo aplicações de alto desempenho em veículos elétricos, veículos industriais e energia renovável.