Pastilhas Semicondutoras Compostas III-V | Power Wafertech

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Pastilhas Epitaxiais Semicondutoras III-V

Pastilha Epitaxial Semicondutora III-V

A PWG oferece soluções epitaxiais baseadas em substratos InP, GaSb e GaAs, abrangendo heteroestruturas para HEMTs, pHEMTs, HBTs, diodos laser, fotodetectores, VCSELs, detectores infravermelhos e outros dispositivos III-V.
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Pastilhas compostas III-V

Pastilha InSb

Com uma banda banda direta ultra-estreita de aproximadamente 0,17 eV a 300 K e mobilidade eletrônica excepcionalmente alta, o InSb é particularmente adequado para detecção infravermelha de comprimento de onda média (MWIR) na faixa de 3–5 μm. A PWG fornece pastilhas de Antimoneto de Índio (InSb) do tipo N e P para detecção infravermelha de alta sensibilidade, detecção magnética e eletrônica criogênica.
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Pastilhas compostas III-V

InP Wafer

O fosfeto de índio (InP) é um semicondutor composto III-V com uma banda proibida direta (1,34eV a 300K) e mobilidade eletrônica maior que o GaAs. Ele oferece desempenho superior em três áreas-chave: RF de alta frequência (até a faixa THz), optoeletrônica de comprimento de onda longo (1,3–1,55μm) e circuitos integrados fotônicos de baixo ruído de fase.
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Pastilhas compostas III-V

InAs Wafer

Com uma banda proibida direta estreita de aproximadamente 0,354 eV a 300 K e mobilidade eletrônica excepcionalmente alta, o InA é muito adequado para detectores infravermelhos, sensores Hall, transistores de alta velocidade e outros dispositivos de alta mobilidade.
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Pastilhas compostas III-V

GaSb Wafer

Com uma constante de rede de aproximadamente 6,096 Å, o GaSb (Antimonito de Gálio) oferece excelente compatibilidade de rede com materiais baseados em antimônio, como InAs, AlSb e InAsSb, tornando-se uma plataforma de substrato importante para detectores infravermelhos superlattice Tipo II (T2SL), lasers de infravermelho médio e dispositivos optoeletrônicos avançados. Pastilhas de GaSb estão disponíveis em múltiplos diâmetros, orientações de cristais e acabamentos superficiais para crescimento epitaxial e fabricação de dispositivos.
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Pastilhas compostas III-V

GaAs Wafer

O Arseneto de Gálio (GaAs) combina uma banda proibida direta com alta mobilidade eletrônica, tornando-se um material substrato amplamente utilizado para MMICs, HEMTs, HBTs, VCSELs, diodos laser, LEDs e células solares de alta eficiência. As pastilhas GaAs estão disponíveis em múltiplos diâmetros, orientações de cristais e acabamentos superficiais.
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TRÊS FAMÍLIAS PRINCIPAIS DE PRODUTOS

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APLICAÇÕES & INDÚSTRIAS

Aplicações e Indústrias

CASO 01 / SISTEMAS DE ALTA TENSÃO

Eletrônica de Potência

Soluções de wafers de banda larga para conversão eficiente de potência, comutação rápida e operação confiável em alta temperatura.

FOCO NA APLICAÇÃO

Tração EV · carregamento rápido · Energia industrial

PRODUTOS RECOMENDADOS

Substrato 4H-SiC Epitaxia GaN SiC Personalizado

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Diâmetro e espessura personalizados
Orientação e corte
Doping & resistividade
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Perfil de superfície e arestas
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01Requisitos para enviar
02Revisão de engenharia
03Alinhamento de especificações
04Orçamento e prazo de entrega
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