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A exportação desse produto é regulamentada pelo Ministério do Comércio da RPC (MOFCOM). Uma licença de exportação deve ser obtida antes do envio. Entre em contato com nossa equipe de conformidade para mais detalhes.
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As pastilhas epitaxiais InP são projetadas para comunicações ópticas de alta velocidade e dispositivos RF, suportando comunicações ópticas de 1,3–1,55 μm, lasers DFB/EML, fotodetectores PIN/APD e aplicações MMWave HEMT/HBT.
As pastilhas de epi GaSb são adaptadas para detecção e imagem de infravermelho de onda média e longa (MWIR/LWIR). Com estruturas superletcy Tipo II (T2SL), eles possibilitam detectores T2SL de alto desempenho e sistemas de detecção de gás.
Os wafers epitaxiais GaAs atendem front-ends RF 5G/6G, lasers no infravermelho próximo e LEDs de alto brilho. Aplicações típicas incluem dispositivos pHEMT/HBT 5G/6G, diodos laser VCSEL/infravermelho próximo, LEDs vermelhos/amarelos e interruptores fotocondutivos.
Respostas rápidas sobre seleção de materiais, personalização, testes e pedido.
Por favor, forneça o diâmetro da pastilha, orientação do cristal, estrutura da camada, espessura da camada, requisitos de doping, quantidade e aplicações do dispositivo alvo.
Sim. Se você não tiver uma estrutura de camada finalizada, nossa equipe técnica discutirá seu dispositivo alvo, comprimento de onda, frequência ou requisitos de desempenho e recomendará uma estrutura epitaxial adequada.
Sim. Suportamos personalização total da composição das camadas, espessura, doping, estruturas de poço quântico, camadas buffer, camadas de capa e designs superlease.
Investigação Técnica
Compartilhe seu material, dimensões, especificações, estágio de aplicação ou projeto. Nossa equipe analisará suas necessidades e responderá em um dia útil.
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As consultas são encaminhadas para a equipe técnica ou comercial apropriada.
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