Pastilhas Epitaxiais Semicondutoras III-V

Pastilha Epitaxial Semicondutora III-V

A PWG oferece soluções epitaxiais baseadas em substratos InP, GaSb e GaAs, abrangendo heteroestruturas para HEMTs, pHEMTs, HBTs, diodos laser, fotodetectores, VCSELs, detectores infravermelhos e outros dispositivos III-V.

Substrato — InP, GaSb e GaAs
Método de Crescimento — MOCVD e MBE
Especificações — Padrão, personalizado
Tipo de epi — HEMT / pHEMT / HBT / LD / VCSEL / fotodetector / T2SL etc.
Embalagem — Cassete de wafer único, selado a vácuo

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Especificações Detalhadas

Especificações publicadas por diâmetro de pastilha.

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Sistema de Materiais	Estrutura Típica	Propriedades Principais	Aplicações Primárias
InGaAs/InP	Detector de Pinos/APD Canal HEMT	Alta mobilidade eletrônica Absorção em 1,3-1,55μm	Receptores ópticos de alta velocidade, mmWave HEMTs
InGaAsP/InP	Estruturas de Múltiplos Poços Quânticos a Laser	Comprimento de onda sintonizável com gap de banda direto	Lasers DFB, EMLs, moduladores de eletroabsorção (EAM), amplificadores ópticos
InAlAs/InGaAs/InP	Heteroestrutura 2DEG	Ganho melhor, menor ruído, maior eficiência energética	HEMTs e HBTs ultra-rápidos

Sistema de Materiais	Estrutura Típica	Propriedades Principais	Aplicações Primárias
InAs/GaSb (superrede Tipo-II)	Estruturas do Detector IR T2SL	Cobertura espectral ampla (extensível >14μm)	MWIR & LWIR Imaging de Alto Desempenho
InGaAsSb/GaSb, AlGaAsSb/GaSb	Estruturas de Poços Quânticos a Laser	Banda proibida direta, emissão do infravermelho médio	Lasers de infravermelho médio para detecção de gás
Estruturas termofotovoltaicas (TPV) baseadas em GaSb	Estrutura do PIN	Conversão de energia de alta eficiência	Células TPV

Sistema de Materiais	Estrutura Típica	Propriedades Principais	Aplicações Primárias
AlGaAs/GaAs	Poços Quânticos, Heteroestruturas	Alta mobilidade de elétrons Banda proibida direta	HEMTs RF 5G/6G, Diodos Laser (LDs) de Infravermelho Próximo
InGaP/GaAs	Estruturas HBT	Alta tensão de ruptura Alta eficiência	Amplificadores de Potência RF (HBTs)
InGaAs/GaAs (Camada de Deformação)	Estruturas pHEMT	Mobilidade e velocidade de elétrons muito altas	LNAs mmWave, interruptores de alta velocidade
AlGaInP/GaAs	Múltiplas Estruturas de Poço Quântico	Espectro direto de banda proibida Vermelho-Amarelo	Diodos emissores de luz (LEDs) de alta luminosidade Vermelho, Amarelo e Laranja
GaAs de Baixa Temperatura (LT-GaAs)	Camada de GaAs Cultivado em Baixa Temperatura (LTG-GaAs)	Durabilidade ultra-alta Vida útil do portador ultra-rápido	Antenas fotocondutivas de terahertz, fotodetectores ultrarrápidos

Aplicações

Onde essa pastilha entrega valor

InGaAs/InP

Receptores ópticos de alta velocidade, mmWave HEMTs | Estrutura típica: Canal HEMT do Detector de PIN/APD | Principais Propriedades: Alta mobilidade de elétrons Absorção em 1,3-1,55μm

InGaAsP/InP

Lasers DFB, EMLs, moduladores de eletroabsorção (EAM), amplificadores ópticos | Estrutura Típica: Múltiplas Estruturas de Poços Quânticos | Propriedades Chave: Comprimento de onda ajustável com gap de banda direto

InAlAs/InGaAs/InP

HEMTs e HBTs ultra-rápidos | Estrutura típica: heteroestrutura 2DEG | Principais Propriedades: Ganho melhor Menor ruído Maior eficiência energética

InAs/GaSb (superrede Tipo-II)

MWIR & LWIR Imaging de Alto Desempenho | Estrutura Típica: Estruturas do Detector IR T2SL | Propriedades Chave: Cobertura espectral ampla (extensível >14μm)

InGaAsSb/GaSb, AlGaAsSb/GaSb

Lasers de infravermelho médio para detecção de gases | Estrutura Típica: Estruturas de Poço Quântico a Laser | Principais Propriedades: Banda proibida direta, emissão do infravermelho médio

Estruturas termofotovoltaicas (TPV) baseadas em GaSb

Células TPV | Estrutura típica: Estrutura PIN | Propriedades Chave: Conversão de Energia de Alta Eficiência

AlGaAs/GaAs

HEMTs RF 5G/6G, Diodos a Laser (LDs) de Infravermelho Próximo | Estrutura típica: Poços Quânticos, Heteroestruturas | Propriedades Chave: Alta mobilidade eletrônica Banda proibida direta

InGaP/GaAs

Amplificadores de Potência RF (HBTs) | Estrutura Típica: Estruturas HBT | Principais Propriedades: Alta tensão de ruptura Alta eficiência

InGaAs/GaAs (Camada de Deformação)

LNAs mmWave, interruptores de alta velocidade | Estrutura Típica: Estruturas pHEMT | Principais Propriedades: Mobilidade e velocidade de elétrons muito altas

AlGaInP/GaAs

Diodos emissores de luz (LEDs) de alta luminosidade Vermelho, Amarelo e Laranja | Estrutura Típica: Múltiplas Estruturas de Poços Quânticos | Propriedades Chave: Espectro vermelho-amarelo de banda direta

GaAs de Baixa Temperatura (LT-GaAs)

Antenas fotocondutivas de terahertz, fotodetectores ultra-rápidos | Estrutura típica: Camada de GaAs cultivado em baixa temperatura (LTG-GaAs) | Principais Propriedades: Resistividade ultra-alta Vida útil do portador ultra-rápido

FAQ

Perguntas comuns sobre este produto

Respostas rápidas sobre seleção de materiais, personalização, testes e pedido.

Quais informações são necessárias para uma citação de epiwafer?

Por favor, forneça o material do substrato, diâmetro da pastilha, orientação do cristal, estrutura da camada, espessura da camada, composição, requisitos de doping, quantidade e dispositivo alvo.

Você pode desenvolver uma estrutura de epi baseada nos requisitos do nosso dispositivo?

Sim. Se você não tiver uma estrutura de camada finalizada, nossa equipe técnica pode discutir o dispositivo alvo, comprimento de onda, frequência ou requisitos de desempenho e recomendar uma estrutura epitaxial adequada.

Você pode fornecer estruturas epitaxiais personalizadas?

Sim. Podemos personalizar composição de camadas, espessura, doping, estruturas de poço quântico, camadas de tampão, camadas de capa e designs de superrede de capas.

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