Pastilha de Dióxido de Silício | Grupo Power Wafertech

Pastilha de Dióxido de Silício

O Power Wafertech Group fornece pastilhas de dióxido de silício (SiO₂ on Si) fabricadas por oxidação térmica controlada de substratos de silício. Tanto a oxidação térmica seca quanto a oxidação térmica úmida estão disponíveis para diferentes espessuras de óxido e requisitos de processo. Nossas pastilhas SiO₂ apresentam espessura controlada de óxido, boa uniformidade no nível das pastilhas e superfícies prontas para epi/processo.

Tamanho — 6”, 8”, 12”
Tipo — Oxidação seca, oxidação úmida
Espessura do óxido seco — tipicamente 15–300 nm
Espessura do óxido úmido — tipicamente 500 nm–2 μm
Superfície oxidada — Oxidação de um ou de dois lados
Embalagem — Cassete de uma ou múltiplas wafers, selada a vazio

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Especificações Detalhadas

Especificações publicadas por diâmetro de pastilha.

Select a diameter to review the corresponding published specification set.

Parâmetro	Oxidação Térmica Seca	Oxidação Térmica Úmida
Orientação do Substrato	(100), (110), (111)	(100), (110), (111)
Tipo de substrato	Tipo N / tipo P	Tipo N / tipo P
Método de oxidação	Oxidação seca de O₂	Oxidação por vapor de H₂O
Superfície oxidada	Lado único / lado duplo	Lado único / lado duplo
Espessura típica do óxido	15~300nm, Personalizável	500nm~2μm, Personalizável
Densidade (g/cm³)	2.24 – 2.27	2.18 – 2.21
Índice de Refração (λ=546nm)	1.460 – 1.466	1.435 – 1.458
Constante Dielétrica	3.4 (a 10KHz)	3,82 (a 1MHz)
Resistência Dielétrica (×10⁶ V/cm)	9	Não especificado

Aplicações

Onde essa pastilha entrega valor

MOS e Dielétricos de Portão

Camadas térmicas finas e secas de SiO₂ podem ser usadas como dielétrica de porta ou camadas isolantes em estruturas de dispositivos baseadas em MOS. MOSFETs, capacitores MOS, dispositivos analógicos, sensores, P&D de semicondutores

Isolamento Elétrico

Camadas mais espessas de SiO₂ fornecem isolamento elétrico entre estruturas de dispositivos e podem ser usadas para processos de isolamento. CIs de potência Dispositivos de alta tensão Dispositivos RF Estruturas de isolamento de dispositivos

MEMS & Sensores

Camadas de óxido térmico podem funcionar como isolamento, mascaramento ou camadas sacrificiais na fabricação de MEMS. Sensores MEMS Sensores de pressão Microestruturas Microusinagem de Silício

Difusão e Mascaramento de Processos

O SiO₂ fornece uma camada de mascaramento útil para etapas selecionadas de processamento de semicondutores. Difusão dopante Processos de implantação de íons Processos de gravação Fabricação de dispositivos

Passivação e Proteção de Superfícies

O óxido térmico também pode ser usado como camada protetora e isolante em estruturas de dispositivos à base de silício.

FAQ

Perguntas comuns sobre este produto

Respostas rápidas sobre seleção de materiais, personalização, testes e pedido.

O que é uma pastilha de óxido de silício?

Uma pastilha de óxido de silício é um substrato de silício com uma camada controlada de SiO₂ crescida termicamente em sua superfície. É amplamente utilizado para isolamento, passivação, mascaramento e fabricação de dispositivos semicondutores.

Qual é a diferença entre oxidação seca e úmida?

A oxidação seca produz um óxido denso e de alta qualidade, geralmente preferida para camadas finas de óxido. A oxidação úmida tem uma taxa de crescimento maior e é tipicamente usada para camadas mais espessas de SiO₂.

Você apoia quantidades de P&D?

Sim. Apoiamos pedidos, de protótipos e pequenos lotes, bem como os requisitos de produção.

Quais informações são necessárias para uma cotação?

Por favor, forneça o tamanho da pastilha, orientação, tipo de doping, resistividade, espessura de SiO₂, método de oxidação, lado de oxidação e quantidade.

Investigação Técnica

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