Substrato de Silício | Grupo Power Wafertech

Substrato de Silício

O Power Wafertech Group fornece pastilhas de silício monocristalino para fabricação de dispositivos semicondutores, MEMS, crescimento epitaxial e aplicações de pesquisa. Podem ser fornecidos tanto wafers de silício de grau primário quanto de grau de teste.

Tamanho — 4”, 6”, 8”, 12”
Orientação — (100), (110), (111), (211), etc.
Método de crescimento — CZ, FZ
Resistividade — 0,0005 Ω·cm a >10.000 Ω·cm
Acabamento superficial — SSP, DSP, lapado, gravado e como cortado
Embalagem — Cassete de uma ou múltiplas wafers, selada a vazio

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Especificações Detalhadas

Especificações publicadas por diâmetro de pastilha.

Select a diameter to review the corresponding published specification set.

Parâmetro	Pastilha de Silício de 6" (150 mm)
Crescimento de Cristais	CZ / FZ
Orientação do Cristal	(100), (110), (111)
Tipo de Doping	Tipo N (P, As, Sb), tipo P (B)
Grau	Prima, teste, boneco, nível de pesquisa
Resistividade	0,0005–10.000+ Ω·cm, dependendo do método de crescimento e da doping
Espessura	675 ± 25μm
TTV	≤5μm
Arco
Dobra
Acabamento de Superfície	SSP, DSP, lapped, gravado ou como cortado
Edge	Entalhe ou plano, padrão SEMI
Embalagem	Cassete de uma ou múltiplas wafers, selada a vazio

Parâmetro	Substrato de Silício de 8" (200 mm)
Crescimento de Cristais	CZ / FZ
Orientação do Cristal	(100), (110), (111)
Tipo de Doping	Tipo N (P, As, Sb), tipo P (B)
Grau	Prima, teste, boneco, nível de pesquisa
Resistividade	0,0005–10.000+ Ω·cm, dependendo do método de crescimento e da doping
Espessura	725 ± 25 μm
TTV
Arco
Dobra
Acabamento de Superfície	SSP, DSP, lapped, gravado ou como cortado
Edge	Notch, padrão SEMI
Embalagem	Cassete de uma ou múltiplas wafers, selada a vazio

Parâmetro	Substrato de Silício de 12" (300 mm)
Crescimento de Cristais	CZ
Orientação do Cristal	(100), (110), (111)
Tipo de Doping	Tipo N (P, As, Sb), tipo P (B)
Grau	Prime, teste, burro
Resistividade	Personalizado conforme os requisitos de doping
Espessura padrão	775 ± 25 μm
TTV
Arco
Dobra
Acabamento de Superfície	SSP, DSP, lapeado ou gravado
Tratamento de Bordas	Notch, padrão SEMI
Embalagem	Cassete de uma ou múltiplas wafers, selada a vazio

Tipo de pastilha de silício	Resistividade típica	Principais Aplicações
Si fortemente dopado	0,0005–0,005 Ω·cm	Dispositivos de energia, MOSFETs, IGBTs, diodos de potência, substratos epitaxiais
Si de Resistividade Baixa / Média	0,005–100 Ω·cm	CIs, CMOS, MEMS, sensores, P&D em semicondutores
Si de alta resistividade	100–10.000 Ω·cm	Dispositivos de RF, circuitos de alta frequência, sensores, pesquisa
Si de Ultra Alta Resistividade	>10.000 Ω·cm	RF, micro-ondas, detectores e aplicações especializadas em pesquisa

Aplicações

Onde essa pastilha entrega valor

Si fortemente dopado

Dispositivos de energia, MOSFETs, IGBTs, diodos de potência, substratos epitaxiais | Resistividade típica: 0,0005–0,005 Ω·cm

Si de Resistividade Baixa / Média

CIs, CMOS, MEMS, sensores, P&D em semicondutores | Resistividade típica: 0,005–100 Ω·cm

Si de alta resistividade

Dispositivos RF, circuitos de alta frequência, sensores, pesquisa | Resistividade típica: 100–10.000 Ω·cm

Si de Ultra Alta Resistividade

RF, micro-ondas, detectores e aplicações especializadas de pesquisa | Resistividade típica: >10.000 Ω·cm

FAQ

Perguntas comuns sobre este produto

Respostas rápidas sobre seleção de materiais, personalização, testes e pedido.

Qual faixa de resistividade está disponível?

Nosso portfólio de pastilhas de silício cobre aproximadamente de 0,0005 Ω·cm a >10.000 Ω·cm, dependendo do método de crescimento cristalino e das necessidades de doping.

Vocês fornecem pastilhas de silício prim e de grau de teste?

Sim. Fornecemos wafers prim, test, dummy e de grau de pesquisa de acordo com os requisitos de aplicação e qualidade.

As especificações de wafer de silício podem ser personalizadas?

Sim. Diâmetro, orientação, doping, resistividade, espessura, acabamento superficial, TTV, arco e urdidura podem ser personalizados para requisitos específicos de dispositivos ou processos.

Investigação Técnica

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