Pastilhas GaN

Substrato GaN independente

Substratos independentes (FS) de GaN são pastilhas de GaN a granel que eliminam o molde de crescimento estranho (por exemplo, safira ou silício), fornecendo uma plataforma nativa com densidade de discordância significativamente reduzida. Isso permite melhorar o desempenho, confiabilidade e vida útil dos dispositivos em aplicações exigentes

Tamanho — 4 polegadas, 2 polegadas, 10*10mm2
Orientação cristalina — plano A/C/M, SEMIPOLAR, NÃO POLAR
Densidade de discordâncias — <5x106cm⁻² típico
Condução — Semi-isolante ou condutor

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Especificações Detalhadas

Especificações publicadas por diâmetro de pastilha.

Select a diameter to review the corresponding published specification set.

Parâmetro	Substrato independente de GaN de 4"/100mm
Orientação do Cristal	C-plano (0001) / A-plano (11-20) / M-plano (10-10) / Semipolar / Não polar (customizado)
Espessura	300 – 500 μm (padrão); personalizável
Densidade de discordâncias	Tipicamente
Tipo de condução / Doping	Tipo n (Dopagem Si) · Semi-isolante (dopado em Fe ou C)
Acabamento de Superfície	Polido pronto para epi, Ra ≤ 0,3nm
FWHM	≤ 100arc.sec
TTV	≤ 15μm
Arco	≤ 20μm
Área Utilizável	≥ 90%

Parâmetro	Substrato independente de GaN de 2"/50,8mm
Orientação do Cristal	C-plano (0001) / A-plano (11-20) / M-plano (10-10) / Semipolar / Não polar (customizado)
Espessura	300 – 500 μm (padrão); personalizável
Densidade de discordâncias	Tipicamente
Tipo de condução / Doping	Tipo n (Dopagem Si) · Semi-isolante (dopado em Fe ou C)
Acabamento de Superfície	Polido pronto para epi, Ra ≤ 0,3 nm
FWHM	≤ 100 arc.seg
TTV	≤ 15 μm
Arco	≤ 20 μm
Área Utilizável	≥ 90%

Parâmetro	Substrato de GaN 10 × 10 mm² independente
Orientação do Cristal	C-plano (0001) / A-plano (11-20) / M-plano (10-10) / Semipolar / Não polar (customizado)
Espessura	300 – 500μm (padrão); personalizável
Densidade de discordâncias	Tipicamente
Tipo de condução / Doping	Tipo n (Dopagem Si) · Semi-isolante (dopado em Fe ou C)
Acabamento de Superfície	Polido pronto para epi, Ra ≤ 0,3nm
FWHM	≤ 100arc.sec
TTV	Não especificado (proporcional ao tamanho)
Arco	Não especificado (proporcional ao tamanho)
Área Utilizável	≥ 90%

Aplicações

Onde essa pastilha entrega valor

Diodos Laser Azul, Verde e UV (LDs)

A baixa densidade de defeitos é fundamental para alcançar longa vida operacional, baixa corrente de limiar e alta confiabilidade em lasers emissores de borda e VCSELs.

Micro-LEDs e Displays Avançados

Essenciais para a fabricação de matrizes de micropixels uniformes e de alta eficiência com variação mínima de comprimento de onda, impulsionando monitores de próxima geração para AR/VR e aplicações de ultra alto brilho.

Dispositivos RF de Alta Potência / Alta Frequência

A combinação de excelente condutividade térmica e propriedades semi-isolantes torna esses substratos ideais para amplificadores de potência RF de alta linearidade e alta eficiência em infraestrutura 5G/6G e sistemas de ondas milimétricas.

P&D Fundamental & Aplicada

A plataforma definitiva para explorar a nova física de dispositivos GaN, estruturas quânticas e conceitos optoeletrônicos de próxima geração.

FAQ

Perguntas comuns sobre este produto

Respostas rápidas sobre seleção de materiais, personalização, testes e pedido.

Qual é a densidade típica de discordância?

A densidade típica de discordância é <5 × 10⁶ cm⁻². Valores específicos podem ser discutidos de acordo com a classificação e aplicação da pastilha exigida.

Você pode fornecer substratos de GaN não polares ou semipolares?

Sim. Além do GaN convencional do plano c, podemos fornecer substratos de plano a, plano m, semipolar e não polar de acordo com os requisitos da estrutura do dispositivo pretendida.

Investigação Técnica

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