01
Diodos Laser Azul, Verde e UV (LDs)
Baixa densidade de discordância (<5×10⁶ cm⁻²) permite lasers e VCSELs emissores de borda de alta eficiência, corrente de baixo limiar e longa vida útil para aplicações azuis, verdes e UV.
Pastilhas GaN
Substrato GaN independente
Substratos de GaN independentes (FS) são pastilhas nativas de GaN a granel, eliminando substratos estranhos (safira/silício). Com densidade de discordância ultrabaixa e alta qualidade cristalina, fornecendo a plataforma definitiva para diodos laser de alto desempenho, Micro-LEDs e dispositivos RF.
- Tamanho — 2 polegadas, 4 polegadas, 10 x 10 mm²
- Orientação cristalina — plano A/C/M, SEMIPOLAR, NÃO POLAR
- Densidade de discordâncias — tipicamente < 5×10⁶ cm⁻²
- Tipo de condução — Tipo N (Dopado com Si) · Semi-isolante (dopado em Fe ou C)
- Acabamento superficial — Epi-ready
- Embalagem — Cassete de wafer único, selado a vácuo
Especificações Detalhadas
Especificações por tipo de pastilha.
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Aviso de Controle de Exportação
A exportação desse produto é regulamentada pelo Ministério do Comércio da RPC (MOFCOM). Uma licença de exportação deve ser obtida antes do envio.
Aviso de Controle de Exportação
A exportação desse produto é regulamentada pelo Ministério do Comércio da RPC (MOFCOM). Uma licença de exportação deve ser obtida antes do envio.
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A exportação desse produto é regulamentada pelo Ministério do Comércio da RPC (MOFCOM). Uma licença de exportação deve ser obtida antes do envio.
Aplicações
Onde essa pastilha entrega valor
02
Micro-LEDs e Displays Avançados
Plataforma nativa GaN que oferece emissão uniforme e alta qualidade cristalina para monitores micro-LED AR/VR de próxima geração e aplicações de ultra alto brilho.
03
RF de Alta Potência / Alta Frequência
Excelente condutividade térmica e propriedades semi-isolantes o tornam ideal para amplificadores de potência RF de alta linearidade e alta eficiência em infraestrutura 5G/6G e sistemas de ondas milimétricas.
04
P&D Fundamental & Aplicada
A plataforma definitiva para explorar a nova física de dispositivos GaN, dispositivos quânticos (pontos/fios quânticos) e conceitos optoeletrônicos de próxima geração.
FAQ
Perguntas comuns sobre este produto
Respostas rápidas sobre seleção de materiais, personalização, testes e pedido.
A densidade típica de discordância é <5×10⁶ cm⁻². Valores específicos podem ser discutidos de acordo com a classificação e aplicação da pastilha exigida.
Sim. Além do GaN convencional do plano c, podemos fornecer substratos de plano a, plano m, semipolar e não polar de acordo com os requisitos da estrutura do dispositivo pretendida.
Sim. A PWG é amigável à P&D. Oferecemos tamanhos padrão (2 polegadas, 4 polegadas, 10x10mm²) e dimensões personalizadas.
As pastilhas são seladas a vácuo em cassetes de wafer único dentro de uma sala limpa para garantir a entrega pronta para a fabricação.
GaN Template
O molde de GaN da PWG refere-se a camadas epitaxiais de GaN de alta qualidade cultivadas sobre substratos de safira, silício ou SiC. Fornecendo uma plataforma econômica e pronta para epinefria para o crescimento subsequente do GaN e fabricação avançada de dispositivos.
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Epitaxia LED GaN
As pastilhas epitaxiais de LED GaN da PWG são heteroestruturas AlGaN/InGaN cultivadas em MOCVD, projetadas para LEDs de alta eficiência UV, azul e verde. Com estruturas precisas de poço múltiplo quântico (MQW), essas pastilhas de epi oferecem alta eficiência quântica interna (IQE), emissão uniforme e confiabilidade superior do dispositivo.
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Epitaxia GaN HEMT
Estruturas HEMT AlGaN/GaN cultivadas com precisão para comutação de RF de alta frequência e alta potência. Com buffers de baixo defeito e canais 2DEG de alta densidade para desempenho superior do dispositivo.
Ver DetalhesInvestigação Técnica
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As consultas são encaminhadas para a equipe técnica ou comercial apropriada.
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