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A exportação desse produto é regulamentada pelo Ministério do Comércio da RPC (MOFCOM). Uma licença de exportação deve ser obtida antes do envio.
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Uma plataforma ideal para dispositivos de comutação de alta e alta potência, incluindo HEMTs de energia GaN-on-Si para carregadores rápidos, trens de força para veículos elétricos e fontes de alimentação para data centers.
Os templates GaN são ideais para módulos front-end de RF de alta frequência, infraestrutura 5G/6G e amplificadores de potência mmWave que exigem alta mobilidade eletrônica e estabilidade térmica.
Aplicado no crescimento epitaxial de emissores de LED azul e verde, diodos a laser (LDs) e telas Micro-LED de próxima geração. Possibilitando estruturas avançadas de InGaN/GaN MQW para emissão de luz de alta eficiência.
Para fabricar fotodetectores UVC/UVA, sensores UV cegos ao sol, e dispositivos químicos/biosensores que exigem alta qualidade cristalina e baixa densidade de defeitos.
Respostas rápidas sobre seleção de materiais, personalização, testes e pedido.
Sim. Os moldes de GaN são projetados principalmente como plataformas prontas para epi-epineto subsequente para epitaxia de GaN ou III-nitreto relacionada, ajudando a simplificar o processo de crescimento e fornecer uma superfície cristalina controlada.
Sim. Além dos templates GaN, o PWG pode fornecer templates de AlGaN e InGaN para aplicações que exigem engenharia de banda proibida, especialmente dispositivos avançados de UV, luz visível e outros dispositivos optoeletrônicos.
Um molde de GaN consiste em uma fina camada epitaxial de GaN cultivada sobre um substrato estrangeiro (por exemplo, safira ou Si), oferecendo uma plataforma econômica para o crescimento do dispositivo. Um substrato de GaN independente é uma pastilha de GaN em grande volume com o substrato estranho removido, proporcionando a mais alta qualidade cristalina e desempenho térmico para dispositivos de alto nível.
Sim. O PWG é amigável a P&D com MOQ flexível para prototipagem. Suportamos personalização rápida da espessura do epi, doping e tipos de substrato para atender às necessidades do seu dispositivo.
Substratos de GaN independentes (FS) são pastilhas nativas de GaN a granel, eliminando substratos estranhos (safira/silício). Com densidade de discordância ultrabaixa e alta qualidade cristalina, fornecendo a plataforma definitiva para diodos laser de alto desempenho, Micro-LEDs e dispositivos RF.
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As pastilhas epitaxiais de LED GaN da PWG são heteroestruturas AlGaN/InGaN cultivadas em MOCVD, projetadas para LEDs de alta eficiência UV, azul e verde. Com estruturas precisas de poço múltiplo quântico (MQW), essas pastilhas de epi oferecem alta eficiência quântica interna (IQE), emissão uniforme e confiabilidade superior do dispositivo.
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Estruturas HEMT AlGaN/GaN cultivadas com precisão para comutação de RF de alta frequência e alta potência. Com buffers de baixo defeito e canais 2DEG de alta densidade para desempenho superior do dispositivo.
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