Pastilhas GaN

GaN Template

Os modelos de GaN da PWG consistem em uma camada epitaxial de GaN de alta qualidade cristalina cultivada sobre substratos estrangeiros, oferecendo um equilíbrio ideal entre desempenho, gestão térmica e eficiência de custos.

Opções de substrato — safira, silício ou SiC
Condução da camada epicamada de GaN — Tipo N (dopado com Si), tipo P (dopado com Mg) e semi-isolante (dopado com Fe)
Espessura da Epi — 1μm a 100μm (personalizável)
Qualidade cristalina — Densidade de discordâncias <1×10⁸cm⁻² (na safira)
Opções de material estendido — Modelo AlGaN, Template InGaN

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Especificações Detalhadas

Especificações publicadas por diâmetro de pastilha.

Select a diameter to review the corresponding published specification set.

Item	Modelo GaN-on-Sapphire (GaN-on-Al₂O₃)
Substrato	Safira
Diâmetros	2 polegadas (50,8mm), 3 polegadas (76,2mm), 4 polegadas (100mm) e 6 polegadas (150mm)
Acabamento de superfície	Epi-ready, polido de um ou dois lados
Rugosidade da Superfície	Ra
Epicamada GaN	Epicamada GaN
Tipos de condução	Tipo N (dopado com Si), tipo P (dopado com Mg) e Semi-isolante (dopado com Fe)
Faixa de espessura	4μm a 100μm, personalizável
Densidade de discordâncias	tipicamente
Resiliência	• Tipo N: 1×10⁶Ω·cm
XRD FWHM de (002)
XRD FWHM de (102)

Item	GaN no Template de Silício
Substrato	Silício
Diâmetros	2 polegadas (50,8mm), 4 polegadas (100mm), 6 polegadas (150mm) e 8 polegadas (200mm)
Acabamento de superfície	Epi-ready, polido de um ou dois lados
Resistividade	Baixa resistividade ou alta resistividade
Camada GaN	Camada GaN
Tipos de condução	Tipo N (dopado com silici), tipo P (dopado com Mg) e semi-isolante (dopado com Fe)
Espessura	~4-6 μm, personalizável

Item	GaN no Template SiC
Substrato	4H-SiC Semi-Isolante
Diâmetros	2 polegadas (50,8mm), 4 polegadas (100mm) e 6 polegadas (150mm)
Acabamento de superfície	Epi-ready, polido de um ou dois lados
Rugosidade da Superfície	Ra
Epicamada GaN	Epicamada GaN
Tipos de condução	Tipo N (dopado com Si), tipo P (dopado com Mg) e Semi-isolante (dopado com Fe)
Faixa de espessura	1μm~2μm, personalizável
XRD FWHM de (002)
XRD FWHM de (102)

FAQ

Perguntas comuns sobre este produto

Respostas rápidas sobre seleção de materiais, personalização, testes e pedido.

Os templates de GaN podem ser usados para crescimento epitaxial adicional?

Sim. Os moldes de GaN são projetados principalmente como plataformas prontas para epi-epineto subsequente para epitaxia de GaN ou III-nitreto relacionada, ajudando a simplificar o processo de crescimento e fornecer uma superfície cristalina controlada.

Você fornece templates de AlGaN e InGaN?

Sim. Além dos templates GaN, o PWG pode fornecer templates de AlGaN e InGaN para aplicações que exigem engenharia de banda proibida, especialmente dispositivos avançados de UV, luz visível e outros dispositivos optoeletrônicos.

Investigação Técnica

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