Pastilhas compostas III-V

InAs Wafer

Com uma banda proibida direta estreita de aproximadamente 0,354 eV a 300 K e mobilidade eletrônica excepcionalmente alta, o InA é muito adequado para detectores infravermelhos, sensores Hall, transistores de alta velocidade e outros dispositivos de alta mobilidade.

Tamanho — 2", 3" e 4"
Orientação — (100), (111)
Tipo de condução — Tipo N (dopado S / Sn) e tipo P (dopado com Zn)
Acabamento superficial — SSP / DSP, pronto para epi-
Embalagem — Cassete de uma ou múltiplas wafers, selada a vazio

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Especificações Detalhadas

Especificações publicadas por diâmetro de pastilha.

Select a diameter to review the corresponding published specification set.

Parâmetro	Substrato InAs de 2" (50,8mm)
Tipo de condução	Tipo N
Dopante	S / Sn
Orientação	(100) / (111)
Espessura	500±25um
TTV
Arco
Dobra
Mobilidade Eletrônica	6.000–20.000 ou ≥20.000 cm²/V·s
Concentração de Porta-Aviões	5 × 10¹⁶–1 × 10¹⁸ cm⁻³
EPD	≤50.000 cm⁻²
Acabamento de Superfície	SSP / DSP, pronto para epi-

Parâmetro	Substrato InAs de 3" (76,2mm)
Tipo de condução	Tipo N
Dopante	S / Sn
Orientação	(100) / (111)
Espessura	600±25um
TTV
Arco
Dobra
Mobilidade Eletrônica	6.000–20.000 ou ≥20.000 cm²/V·s
Concentração de Porta-Aviões	5 × 10¹⁶–1 × 10¹⁸ cm⁻³
EPD	≤50.000 cm⁻²
Acabamento de Superfície	SSP / DSP, pronto para epi-
Flat	Padrão SEMI
Embalagem	Cassete de wafer único, selado a vácuo

Parâmetro	Substrato InAs de 4"(100mm)
Tipo de condução	Tipo N
Dopante	S / Sn
Orientação	(100) / (111)
Espessura	900±25um
TTV
Arco
Dobra
Mobilidade Eletrônica	6.000–20.000 ou ≥20.000 cm²/V·s
Concentração de Porta-Aviões	5 × 10¹⁶–1 × 10¹⁸ cm⁻³
EPD	≤50.000 cm⁻²
Acabamento de Superfície	SSP / DSP, pronto para epi-
Flat	Padrão SEMI
Embalagem	Cassete de wafer único, selado a vácuo

Aplicações

Onde essa pastilha entrega valor

Detecção por infravermelho

A estreita banda proibida dos InAs o torna adequado para detecção e detecção por infravermelho, especialmente na faixa de infravermelho curto e médio. Dispositivos típicos: Fotodetectores infravermelhos, sensores IR, sensores de gás, dispositivos de imagem térmica, detectores de espectroscopia, substrato recomendado: InAs do tipo N ou tipo P, dependendo da estrutura do dispositivo.

Eletrônica de Alta Mobilidade

O InAs oferece mobilidade eletrônica excepcionalmente alta e baixa massa efetiva eletrônica, tornando-o um material atraente para dispositivos eletrônicos de alta velocidade e alta mobilidade. Dispositivos típicos: Transistores de alta mobilidade Dispositivos de alta frequência Dispositivos eletrônicos de baixo ruído Sensores Hall Estruturas eletrônicas avançadas III-V Substrato recomendado: InAs do tipo N para aplicações que exigem alta mobilidade eletrônica.

Pesquisa em Infravermelho e Optoeletrônica

Os substratos InAs são amplamente utilizados como plataforma para pesquisas avançadas de materiais e dispositivos III-V. Aplicações típicas: Optoeletrônica infravermelha Nanoestruturas semicondutoras Dispositivos quânticos Desenvolvimento de materiais epitaxiais Fotodetectores avançados

FAQ

Perguntas comuns sobre este produto

Respostas rápidas sobre seleção de materiais, personalização, testes e pedido.

Por que o InAs é adequado para dispositivos de alta mobilidade?

O InAs possui mobilidade eletrônica excepcionalmente alta e baixa massa efetiva eletrônica, tornando-o atraente para transistores de alta velocidade, sensores Hall e outros dispositivos eletrônicos de alta mobilidade.

Qual pastilha InAs é recomendada para detectores infravermelhos?

Tanto InAs do tipo N quanto do tipo P podem ser usados para estruturas de detectores infravermelhos. O tipo de condutividade apropriado depende do dispositivo e do projeto epitaxial.

Qual wafer InAs é adequado para dispositivos eletrônicos de alta mobilidade?

O tipo N InAs é comumente selecionado para aplicações que exigem alta mobilidade eletrônica.

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