Pastilhas compostas III-V

InAs Wafer

O Power Wafertech Group fornece pastilhas de substrato de arseneto de índio (InAs) para detecção infravermelha, eletrônica de alta mobilidade e pesquisa avançada em semicondutores III-V. As opções disponíveis incluem InAs do tipo N e do tipo P, com diâmetros selecionados de pastilhas, orientações dos cristais e acabamentos superficiais para fabricação de dispositivos e crescimento epitaxial.

Tamanho — 2", 3" e 4"
Orientação — (100), (111)
Tipo de condução — Tipo N (dopado S / Sn) e tipo P (dopado com Zn)
Acabamento superficial — SSP / DSP, pronto para epi-
Embalagem — Cassete de uma ou múltiplas wafers, selada a vazio

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Especificações Detalhadas

Especificações por tipo de pastilha.

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Parâmetro	Substrato InAs de 2" (50,8mm)
Tipo de condução	Tipo N	Tipo P
Dopante	S / Sn	Zn
Orientação	(100) / (111)	(100) / (111)
Espessura	500±25um	500±25um
TTV
Arco
Dobra
Mobilidade Eletrônica	6.000–20.000 ou ≥20.000 cm²/V·s	100–400 cm²/V·s
Concentração de Porta-Aviões	5 × 10¹⁵–1 × 10¹⁰ cm⁻³	(1–10) × 10¹⁵ cm⁻³
EPD	≤50.000 cm⁻²	≤30.000 cm⁻²
Acabamento de Superfície	SSP / DSP, pronto para epi-	SSP / DSP, pronto para epi-
Flat	Padrão SEMI	Padrão SEMI
Embalagem	Cassete de wafer único, selado a vácuo	Cassete de wafer único, selado a vácuo

Parâmetro	Substrato InAs de 3" (76,2mm)
Tipo de condução	Tipo N	Tipo P
Dopante	S / Sn	Zn
Orientação	(100) / (111)	(100) / (111)
Espessura	600±25um	600±25um
TTV
Arco
Dobra
Mobilidade Eletrônica	6.000–20.000 ou ≥20.000 cm²/V·s	100–400 cm²/V·s
Concentração de Porta-Aviões	5 × 10¹⁵–1 × 10¹⁰ cm⁻³	(1–10) × 10¹⁵ cm⁻³
EPD	≤50.000 cm⁻²	≤30.000 cm⁻²
Acabamento de Superfície	SSP / DSP, pronto para epi-	SSP / DSP, pronto para epi-
Flat	Padrão SEMI	Padrão SEMI
Embalagem	Cassete de wafer único, selado a vácuo	Cassete de wafer único, selado a vácuo

Parâmetro	Substrato InAs de 4"(100mm)
Tipo de condução	Tipo N	Tipo P
Dopante	S / Sn	Zn
Orientação	(100) / (111)	(100) / (111)
Espessura	900±25um	900±25um
TTV
Arco
Dobra
Mobilidade Eletrônica	6.000–20.000 ou ≥20.000 cm²/V·s	100–400 cm²/V·s
Concentração de Porta-Aviões	5 × 10¹⁵–1 × 10¹⁰ cm⁻³	(1–10) × 10¹⁵ cm⁻³
EPD	≤50.000 cm⁻²	≤30.000 cm⁻²
Acabamento de Superfície	SSP / DSP, pronto para epi-	SSP / DSP, pronto para epi-
Flat	Padrão SEMI	Padrão SEMI
Embalagem	Cassete de wafer único, selado a vácuo	Cassete de wafer único, selado a vácuo

Aplicações

Onde essa pastilha entrega valor

Detectores e Sensores Infravermelhos

O InAs é usado em fotodetectores infravermelhos e estruturas de sensoriamento, incluindo aplicações selecionadas de detecção de gases e espectroscopia. O tipo de condutividade do substrato exigido, a concentração do portador e a condição da superfície dependem do projeto do detector e da estrutura do material. Aplicações típicas: fotodetectores infravermelhos, sensores IR, espectroscopia e pesquisa em detecção de gases.

Eletrônica de Alta Mobilidade

A alta mobilidade eletrônica dos InAs os torna um material útil para estruturas eletrônicas de alta mobilidade e pesquisas avançadas sobre transistores. Suas propriedades elétricas podem apoiar o desenvolvimento de dispositivos de alta velocidade e heteroestruturas eletrônicas especializadas. Aplicações típicas: transistores de alta mobilidade, medições por efeito Hall, eletrônica de alta velocidade e pesquisa em heteroestruturas III-V.

Epitaxia III-V

O wafer InAs oferece uma plataforma versátil para o crescimento epitaxial de estruturas semicondutoras compostas via MBE e MOCVD. Sua estreita banda proibida direta (0,354 eV) e alta mobilidade eletrônica os tornam ideais para o crescimento de heteroestruturas sensíveis ao infravermelho, incluindo superredes InAs/GaSb Tipo-II, ligas InAsSb e estruturas confinadas em quânticos. As aplicações típicas incluem desenvolvimento de materiais epitaxiais para detectores MWIR/LWIR, transistores de alta velocidade e pesquisas avançadas em semicondutores III-V.

FAQ

Perguntas comuns sobre este produto

Respostas rápidas sobre seleção de materiais, personalização, testes e pedido.

Para que servem as pastilhas InAs?

Pastilhas de arseneto de índio (InAs) são usadas em detecção infravermelha, dispositivos eletrônicos de alta mobilidade e pesquisas em semicondutores III-V. Aplicações típicas incluem fotodetectores infravermelhos, sensores Hall, estruturas de transistores de alta velocidade e desenvolvimento de materiais epitaxiais.

Qual pastilha InAs é adequada para crescimento epitaxial?

O substrato InAs apropriado depende do sistema de materiais epitaxiais, processo de crescimento, orientação do cristal, condição da superfície e estrutura do dispositivo. Especifique seus requisitos de crescimento e critérios de aceitação da superfície ao solicitar um orçamento.

Qual wafer InAs é adequado para dispositivos eletrônicos de alta mobilidade?

O tipo N InAs é comumente selecionado para aplicações que exigem alta mobilidade eletrônica.

Como faço para solicitar um orçamento de wafer InAs?

Envie as especificações necessárias, quantidade e solicitação pretendida através do formulário de consulta técnica. Você também pode anexar uma folha de especificações ou um desenho para nos ajudar a avaliar suas necessidades.

Investigação Técnica

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