Pastilhas compostas III-V

Pastilha InSb

Com uma banda banda direta ultra-estreita de aproximadamente 0,17 eV a 300 K e mobilidade eletrônica excepcionalmente alta, o InSb é particularmente adequado para detecção infravermelha de comprimento de onda média (MWIR) na faixa de 3–5 μm. A PWG fornece pastilhas de Antimoneto de Índio (InSb) do tipo N e P para detecção infravermelha de alta sensibilidade, detecção magnética e eletrônica criogênica.

Tamanho — 2" e 3"
Orientação — (100), (111)
Tipo de condução — Tipo N (dopado com Te) e tipo P (dopado com Ge)
Acabamento superficial — SSP ou DSP, pronto para epi-
Embalagem — Cassete de wafer único, selado a vácuo

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Especificações Detalhadas

Especificações publicadas por diâmetro de pastilha.

Select a diameter to review the corresponding published specification set.

Parâmetro	Substrato InSb de 2" (50,8mm)
Tipo de condução	Tipo N
Dopante	Te
Orientação	(100) / (111)
Espessura	625±25um
Concentração de Porta-Aviões	2,5 × 10¹⁵–1 × 10¹⁸ cm⁻³
EPD	≤100 cm⁻²
Acabamento de Superfície	SSP / DSP, pronto para epi-
Flat	Padrão SEMI
Embalagem	Cassete de wafer único, selado a vácuo

Parâmetro	Substrato InSb de 3"(76,2mm)
Tipo de condução	Tipo N
Dopante	Te
Orientação	(100) / (111)
Espessura	800/900±25um
Concentração de Porta-Aviões	2,5 × 10¹⁵–1 × 10¹⁸ cm⁻³
EPD	≤100 cm⁻²
Acabamento de Superfície	SSP / DSP, pronto para epi-
Flat	Padrão SEMI
Embalagem	Cassete de wafer único, selado a vácuo

Parâmetro	Substrato InSb de 4" (100mm)
Tipo de condução	Tipo N
Dopante	Te
Orientação	(100) / (111)
Espessura	1000±25um
Concentração de Porta-Aviões	2,5 × 10¹⁵–1 × 10¹⁸ cm⁻³
EPD	≤100 cm⁻²
Acabamento de Superfície	SSP / DSP, pronto para epi-
Flat	Padrão SEMI
Embalagem	Cassete de wafer único, selado a vácuo

Aplicações

Onde essa pastilha entrega valor

Detecção Infravermelha MWIR

O InSb é particularmente adequado para detecção infravermelha em comprimento de onda médio em torno de 3–5 μm, tornando-se uma plataforma material estabelecida para detectores infravermelhos resfriados de alta sensibilidade. Dispositivos típicos: Fotodetectores MWIR Matrizes de plano focal infravermelho (FPAs) Detectores de imagem infravermelha Sensores de detecção de gases Detectores de espectroscopia Aplicações típicas: Imagem térmica Vigilância infravermelha Análise de gases Monitoramento industrial Instrumentação científica Substrato recomendado: Tipo N ou tipo InSb do tipo P, de acordo com a estrutura do detector.

Sensores magnéticos

A alta mobilidade de elétrons e a forte resposta magnetorresistiva do InSb o tornam adequado para dispositivos sensíveis de detecção magnética. Dispositivos típicos: Sensores Hall Sensores magnetorresistivos Detectores de campo magnético Substrato recomendado: O InSb do tipo N é comumente preferido para aplicações de alta mobilidade em Hall e sensores magnéticos.

Eletrônica Criogênica e de Alta Mobilidade

A alta mobilidade eletrônica e a banda estreita do InSb o tornam útil para pesquisas eletrônicas avançadas, especialmente sob condições de operação de baixa temperatura. Aplicações típicas: Eletrônica criogênica, pesquisa de transistores de alta mobilidade, dispositivos semicondutores de baixa temperatura, pesquisa eletrônica avançada III-V

FAQ

Perguntas comuns sobre este produto

Respostas rápidas sobre seleção de materiais, personalização, testes e pedido.

Para qual faixa de comprimentos de onda o InSb é usado?

O InSb é amplamente utilizado para detecção de MWIR na janela atmosférica de aproximadamente 3–5 μm, particularmente em sistemas de detectores infravermelhos resfriados.

Qual pastilha InSb é recomendada para detectores MWIR?

Tanto o tipo N quanto o tipo P InSb podem ser usados dependendo da arquitetura do detector e dos requisitos epitaxiais ou do dispositivo.

Qual wafer InSb é adequado para sensores Hall?

O InSb do tipo N é comumente selecionado para sensores Hall e outros dispositivos de detecção magnética de alta mobilidade.

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