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Substratos InSb com EPD
Substratos InSb com EPD
Substratos InSb com EPD
Com uma banda proibida estreita de aproximadamente 0,17 eV a 300 K, o InSb é ideal para detecção de MWIR na faixa de 3–5 μm. Aplicações típicas incluem detectores infravermelhos resfriados, matrizes de plano focal (FPAs), imagem térmica e detecção de gases.
O wafer InSb combina alta mobilidade eletrônica com fortes propriedades magnetorresistivas, tornando-o adequado para sensores magnéticos sensíveis. As aplicações incluem sensores de efeito Hall, detectores de campo magnético e dispositivos de detecção de posição ou corrente.
A banda proibida estreita e a mobilidade eletrônica excepcionalmente alta do InSb o tornam atraente para pesquisas avançadas em semicondutores. As aplicações incluem transistores de alta mobilidade, eletrônica criogênica e desenvolvimento de dispositivos III–V em baixa temperatura.
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O InSb é amplamente utilizado para detecção de MWIR na janela atmosférica de aproximadamente 3–5 μm, particularmente em sistemas de detectores infravermelhos resfriados.
Tanto o tipo N quanto o tipo P InSb podem ser usados dependendo da arquitetura do detector e dos requisitos epitaxiais ou do dispositivo.
O InSb do tipo N é comumente selecionado para sensores Hall e outros dispositivos de alta mobilidade magnética devido à sua excepcional mobilidade eletrônica.
O wafer de fosfeto de índio (InP) é um semicondutor composto III-V de alta mobilidade, com banda proibida direta (1,34eV). Otimizado para RF de alta frequência (até THz), comunicações ópticas de 1,3–1,55μm e Circuitos Integrados Fotônicos (PICs) de baixo ruído. Com acabamentos de superfície de baixo EPD e prontos para epi.
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O Arseneto de Gálio (GaAs) combina uma banda proibida direta com alta mobilidade eletrônica, tornando-se um material substrato amplamente utilizado para dispositivos de alta frequência e optoeletrônicos. As pastilhas GaAs da PWG suportam MMICs, HEMTs, HBTs, VCSELs, diodos laser e células solares de alta eficiência, disponíveis em múltiplos diâmetros, orientações de cristais e acabamentos superficiais prontos para Epi.
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O Power Wafertech Group fornece pastilhas de substrato de arseneto de índio (InAs) para detecção infravermelha, eletrônica de alta mobilidade e pesquisa avançada em semicondutores III-V. As opções disponíveis incluem InAs do tipo N e do tipo P, com diâmetros selecionados de pastilhas, orientações dos cristais e acabamentos superficiais para fabricação de dispositivos e crescimento epitaxial.
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GaSb (Antimônio de Gálio) é o substrato preferido para epitaxia baseada em antimônio. Com uma constante de rede de 6,096 Å para excelente compatibilidade InAs/AlSb, é amplamente utilizado para detectores IR Tipo II Superlatrale (T2SL) e lasers de infravermelho médio. Disponível nos tamanhos 2", 3" e 4" com acabamentos de superfície prontos para Epi.
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