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GaN Photodetector Wafer

Pastilha Fotodetectora GaN

Oferecer vários wafers comerciais de fotodetector de epitaxia GaN com estruturas personalizáveis, cobrindo diferentes substratos e requisitos de aplicação

InAlNGaN HEMT Epitaxy

Epitaxia HEMT InAlNGaN

Epiwafers personalizados InAlN/GaN HEMT em substratos de safira, SiC e Si, com alta densidade de 2DEG, ideais para aplicações de Onda Milimétrica

Violet Laser Diode

Diodo Laser Violeta

Epiwafers de diodo laser violeta à base de GaN de alto desempenho fornecidos são cultivados em substrato de sili pelo método MOCVD com múltiplos poços quânticos para corrente de baixo limiar.

4H-SiC PIN Epiwafers

Epiwafers de PIN 4H-SiC

Descubra os epifers de diodo PIN 4H-SiC da PWG com design otimizado de camada de epilayer, garantindo alta confiabilidade para eletrônica de potência

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