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A exportação desse produto é regulamentada pelo Ministério do Comércio da RPC (MOFCOM). Uma licença de exportação deve ser obtida antes do envio.
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Substratos semi-isolantes de GaAs são amplamente utilizados na fabricação de dispositivos de alta frequência, incluindo MMICs, pHEMTs, HEMTs e HBTs. Eles são adequados para front-ends de RF, amplificadores de micro-ondas, comunicações sem fio e aplicações relacionadas.
Substratos de GaAs são usados para o crescimento epitaxial de estruturas optoeletrônicas III-V, incluindo sistemas de dispositivos baseados em AlGaAs e InGaAs. As aplicações incluem VCSELs, diodos laser, emissores infravermelhos e dispositivos de sensoriamento óptico.
O GaAs é um material semicondutor III-V importante para dispositivos fotovoltaicos de alta eficiência, incluindo células solares espaciais e sistemas fotovoltaicos concentradores. Os requisitos do substrato dependem da arquitetura da célula e do processo de fabricação.
Substratos de GaAs suportam o crescimento de estruturas epitaxiais III-V para aplicações selecionadas de LED e optoeletrônicas, incluindo emissores vermelhos e infravermelhos.
Respostas rápidas sobre seleção de materiais, personalização, testes e pedido.
Pastilhas condutivas de GaAs, incluindo materiais do tipo N e do tipo P, são usadas em estruturas de dispositivos que exigem condutividade elétrica específica. Pastilhas de GaAs semi-isolantes oferecem alta resistividade elétrica e são comumente usadas na fabricação de dispositivos RF e micro-ondas. O tipo apropriado depende da arquitetura do dispositivo e dos requisitos do processo.
GaAs semi-isolante é comumente considerado para MMICs, pHEMTs e outros dispositivos de RF ou micro-ondas. A resistividade requerida, orientação do cristal, acabamento superficial e outros parâmetros devem ser especificados de acordo com o projeto do dispositivo.
Substratos de GaAs são amplamente utilizados para o crescimento epitaxial de estruturas de VCSEL e diodos laser. O tipo de condutividade necessário, orientação, acabamento superficial e outras especificações dependem do projeto epitaxial e da arquitetura do dispositivo.
Diâmetros selecionados de pastilhas incluem 2", 3", 4" e 6". Orientação cristalina, tipo de condutividade, resistividade, acabamento superficial e outros parâmetros estão sujeitos à especificação do material disponível. Entre em contato com a PWG para confirmar os requisitos do seu projeto.
O wafer de fosfeto de índio (InP) é um semicondutor composto III-V de alta mobilidade, com banda proibida direta (1,34eV). Otimizado para RF de alta frequência (até THz), comunicações ópticas de 1,3–1,55μm e Circuitos Integrados Fotônicos (PICs) de baixo ruído. Com acabamentos de superfície de baixo EPD e prontos para epi.
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O Power Wafertech Group fornece pastilhas de substrato de arseneto de índio (InAs) para detecção infravermelha, eletrônica de alta mobilidade e pesquisa avançada em semicondutores III-V. As opções disponíveis incluem InAs do tipo N e do tipo P, com diâmetros selecionados de pastilhas, orientações dos cristais e acabamentos superficiais para fabricação de dispositivos e crescimento epitaxial.
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GaSb (Antimônio de Gálio) é o substrato preferido para epitaxia baseada em antimônio. Com uma constante de rede de 6,096 Å para excelente compatibilidade InAs/AlSb, é amplamente utilizado para detectores IR Tipo II Superlatrale (T2SL) e lasers de infravermelho médio. Disponível nos tamanhos 2", 3" e 4" com acabamentos de superfície prontos para Epi.
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InSb (antimoneto de índio) está disponível para detectores infravermelhos MWIR e dispositivos magnetorresistivos. Opções tipo N e tipo P com superfícies prontas para epe estão disponíveis para suportar requisitos específicos de fabricação de dispositivos e crescimento epitaxial.
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