GaAs Wafer | Grupo Power Wafertech

Pastilhas compostas III-V

GaAs Wafer

O Arseneto de Gálio (GaAs) combina uma banda proibida direta com alta mobilidade eletrônica, tornando-se um material substrato amplamente utilizado para MMICs, HEMTs, HBTs, VCSELs, diodos laser, LEDs e células solares de alta eficiência. As pastilhas GaAs estão disponíveis em múltiplos diâmetros, orientações de cristais e acabamentos superficiais.
  • Tamanho 2", 3", 4" e 6"
  • Orientação (100), (111)A e (111)B
  • Tipo de condução Tipo N (dopado com silici), tipo P (dopado com Zn) e semi-isolante (dopado em C)
  • Acabamento superficial SSP ou DSP, pronto para epi-
  • Embalagem Cassete de wafer único, selado a vácuo
Especificações Detalhadas

Especificações publicadas por diâmetro de pastilha.

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ParâmetroSubstrato de GaAs 2"(50,8mm)
Tipo de conduçãoTipo N
DopanteSi
Orientação(100), (111)A, (111)B
Resistividade(1,5–9) × 10⁻³ Ω·cm
Mobilidade1500–3000 cm²/V·s
EPD≤5000 cm⁻²
Acabamento de SuperfícieSSP / DSP, pronto para epi-
FlatPadrão SEMI
EmbalagemCassete de wafer único, selado a vácuo
Aplicações

Onde essa pastilha entrega valor

01

RF & Micro-ondas

Pastilhas semi-isolantes de GaAs proporcionam isolamento elétrico e baixos efeitos parasitas para fabricação de dispositivos de alta frequência. Dispositivos típicos: MMICs, HEMTs, pHEMTs, HBTs, amplificadores de baixo ruído, amplificadores de potência RF. Aplicações típicas: comunicações 5G / 6G, infraestrutura sem fio, comunicações via satélite, instrumentação de radar RF.

02

VCSELs & Diodos Laser

Pastilhas condutivas de GaAs são amplamente utilizadas como substratos para estruturas optoeletrônicas III-V baseadas em AlGaAs, InGaAs e materiais relacionados. Dispositivos típicos: VCSELs, diodos laser, LEDs infravermelhos, dispositivos de detecção óptica

03

Fotovoltaicos

O GaAs oferece alto desempenho de conversão optoeletrônica e é utilizado em dispositivos fotovoltaicos de alta eficiência. Aplicações típicas: Células solares espaciais Células solares de alta eficiência Fotovoltaicas concentradas

04

LED & Optoeletrônica

Substratos de GaAs suportam o crescimento de estruturas epitaxiais III-V para dispositivos vermelhos, infravermelhos e outros optoeletrônicos.

FAQ

Perguntas comuns sobre este produto

Respostas rápidas sobre seleção de materiais, personalização, testes e pedido.

GaAs condutor é comumente usado onde é necessária injeção de corrente elétrica, como em dispositivos optoeletrônicos. O GaAs semi-isolante proporciona alta resistividade elétrica e é amplamente utilizado para dispositivos RF e micro-ondas.

GaAs semi-isolante dopado com C é comumente selecionado para MMICs, HEMTs, pHEMTs, HBTs e outros dispositivos de alta frequência.

Pastilhas condutivas de GaAs são comumente usadas como substratos para VCSEL e epitaxia de diodo a laser, com o tipo exato de condutividade dependendo da estrutura do dispositivo.

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