Pastilhas compostas III-V

InP Wafer

O fosfeto de índio (InP) é um semicondutor composto III-V com uma banda proibida direta (1,34eV a 300K) e mobilidade eletrônica maior que o GaAs. Ele oferece desempenho superior em três áreas-chave: RF de alta frequência (até a faixa THz), optoeletrônica de comprimento de onda longo (1,3–1,55μm) e circuitos integrados fotônicos de baixo ruído de fase.

Tamanho — Disponível nas versões 2", 3", 4" e 6"
Orientação — (100), (111)
Tipo de condução — Tipo N (dopado em S), tipo P (dopado com Zn) e Semi-isolante (dopado com Fe)
Acabamento superficial — SSP ou DSP, pronto para epi-
Embalagem — Cassete de wafer único, selado a vácuo
Entrega — Porta a porta, prazo de entrega curto

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Especificações Detalhadas

Especificações publicadas por diâmetro de pastilha.

Select a diameter to review the corresponding published specification set.

Parâmetro	Substrato InP de 2"/50,8mm
Tipo de condução	Tipo N
Dopante	S
Orientação	(100) / (111)
Condutividade	Tipo N
Espessura	350±25um
TTV
Arco
Dobra
EPD	≤500cm⁻²
Acabamento de Superfície	SSP / DSP, pronto para epi-
Flat	Padrão SEMI
Embalagem	Cassete de wafer único, selado a vácuo

Parâmetro	Substrato InP de 3" / 76,2mm
Tipo de condução	Tipo N
Dopante	S
Orientação	(100) / (111)
Condutividade	Tipo N
Espessura	600±25um
TTV
Arco
Dobra
EPD	≤500cm⁻²
Acabamento de Superfície	SSP / DSP, pronto para epi-
Flat	Padrão SEMI
Embalagem	Cassete de wafer único, selado a vácuo

Parâmetro	Substrato InP de 4" / 100mm
Tipo de condução	Tipo N
Dopante	S
Orientação	(100) / (111)
Condutividade	Tipo N
Espessura	600±25um
TTV
Arco
Dobra
EPD	≤500cm⁻²
Acabamento de Superfície	SSP / DSP, pronto para epi-
Flat	Padrão SEMI
Embalagem	Cassete de wafer único, selado a vácuo

Parâmetro	Substrato InP de 6" / 150mm
Tipo de condução	Tipo N
Dopante	S
Orientação	(100) / (111)
Condutividade	Tipo N
Espessura	675±25um
TTV
Arco	≤15um
Dobra	≤15um
EPD	≤500cm⁻²
Acabamento de Superfície	SSP / DSP, pronto para epi-
Flat	Padrão SEMI
Embalagem	Cassete de wafer único, selado a vácuo

Aplicações

Onde essa pastilha entrega valor

Comunicações Ópticas e Fotônica

Pastilhas InP são amplamente usadas para dispositivos optoeletrônicos de comprimento de onda longo operando ao redor das janelas de comunicação de fibra óptica de 1,3 μm e 1,55 μm. Dispositivos típicos: diodos laser DFB, lasers EML, fotodiodos PIN, APDs, circuitos integrados fotônicos, dispositivos AWG, pastilhas recomendadas: InP tipo N / tipo P / Semi-isolante, dependendo da estrutura do dispositivo.

Alta Velocidade e Eletrônica RF

O InP oferece alto desempenho de transporte de elétrons e é amplamente utilizado para dispositivos eletrônicos e RF de alta velocidade, incluindo MMICs de alta frequência e pesquisas avançadas em semicondutores. Dispositivos típicos: HBTs HEMTs MMICs de alta frequência Multiplicadores de frequência Detectores de terahertz Dispositivos eletrônicos de alta velocidade Pastilhas recomendadas: InP semi-isolante para aplicações RF/MMIC; InP condutor para HBT selecionadas e estruturas eletrônicas.

Circuitos Integrados Fotônicos

O InP é uma plataforma importante para fotônica integrada porque suporta tanto dispositivos ópticos ativos quanto integração fotônica. Aplicações típicas: Transceptores ópticos Interconectações de centros de dados Comunicações coerentes Comunicações por fibra óptica Circuitos integrados fotônicos Módulos ópticos de alta velocidade Pastilhas recomendadas: Tipo N, tipo P ou semi-isolante de acordo com a arquitetura de epi e do dispositivo.

FAQ

Perguntas comuns sobre este produto

Respostas rápidas sobre seleção de materiais, personalização, testes e pedido.

Qual é a diferença entre pastilhas InP tipo N, tipo P e semi-isolantes?

Pastilhas InP do tipo N e do tipo P são substratos condutores comumente usados em dispositivos optoeletrônicos e eletrônicos. O InP semi-isolante, tipicamente dopado com Fe, é particularmente adequado para aplicações de RF, micro-ondas e alta frequência.

Qual pastilha InP é adequada para dispositivos de comunicação óptica?

O tipo de condutividade adequado depende do dispositivo e da estrutura epitaxial. InP do tipo N, tipo P e semi-isolante podem ser usados para diferentes arquiteturas de dispositivos de comunicação óptica.

Qual wafer InP é recomendado para aplicações de RF e alta frequência?

O InP semi-isolante dopado com Fe é comumente selecionado para dispositivos RF, micro-ondas e de alta frequência devido à sua alta resistividade e isolamento elétrico.

Você pode fornecer pastilhas InP para projetos de P&D e pequenos lotes?

Sim. Apoiamos pesquisas, protótipos e requisitos de pequenos lotes, sujeitos às especificações e quantidade solicitadas de pastilhas.

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