01
Comunicações Ópticas e Fotônica
Aplicações: lasers DFB, EMLs, fotodiodos PIN, APDs para comunicações por fibra óptica de 1,3–1,55μm. Especificação recomendada: InP tipo N ou semi-isolante (dopado com Fe).
Pastilhas compostas III-V
InP Wafer
O wafer de fosfeto de índio (InP) é um semicondutor composto III-V de alta mobilidade, com banda proibida direta (1,34eV). Otimizado para RF de alta frequência (até THz), comunicações ópticas de 1,3–1,55μm e Circuitos Integrados Fotônicos (PICs) de baixo ruído. Com acabamentos de superfície de baixo EPD e prontos para epi.
- Tamanho — 2", 3", 4", 6”
- Orientação — (100), (111)
- Tipo de condução — Tipo N (dopado em S), tipo P (dopado com Zn) e Semi-isolante (dopado com Fe)
- Acabamento superficial — SSP ou DSP, pronto para epi-
- EPD — ≤ 500cm⁻²
- Embalagem — Cassete de wafer único, selado a vácuo
Especificações Detalhadas
Especificações por tipo de pastilha.
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Aviso de Controle de Exportação
A exportação desse produto é regulamentada pelo Ministério do Comércio da RPC (MOFCOM). Uma licença de exportação deve ser obtida antes do envio. Por favor, entre em contato com nossa equipe de conformidade para mais detalhes.
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Aplicações
Onde essa pastilha entrega valor
02
Alta Velocidade e Eletrônica RF
Aplicações: HBTs, HEMTs, MMICs HEMT, detectores e fontes THz. Especificação recomendada: InP semi-isolante para RF/MMIC; InP condutor para HBT/Hemt.
03
Circuitos Integrados Fotônicos (PICs)
Aplicações: Transceptores ópticos, interconexões de data center, comunicações coerentes. Especificação recomendada: Semi-isolante ou InP tipo N, baseado na arquitetura do dispositivo.
FAQ
Perguntas comuns sobre este produto
Respostas rápidas sobre seleção de materiais, personalização, testes e pedido.
O tipo N (dopado em S) e o tipo P (dopado por Zn) são substratos condutores para dispositivos optoeletrônicos e eletrônicos. O InP semi-isolante (dopado com Fe) apresenta alta resistividade e é ideal para aplicações de RF, micro-ondas e alta frequência.
Para lasers DFB de 1,3–1,55μm, EMLs e fotodetectores, recomendamos wafer InP do tipo N ou semi-isolante (dopado com Fe), dependendo da estrutura epitaxial específica e do projeto do dispositivo.
O InP semi-isolante (dopado com Fe) é selecionado principalmente para dispositivos RF, micro-ondas e THz devido à sua alta resistividade e excelente isolamento elétrico.
Sim. Apoiamos prototipagem de P&D e pedidos em pequenos lotes. Orientações personalizadas, doping e especificações prontas para epinefrina estão disponíveis mediante solicitação.
As pastilhas são embaladas em cassetes de wafer único selados a vácuo dentro de uma sala limpa certificada pela ISO. Garantimos entrega pronta para o Fab com envio porta a porta.
GaAs Wafer
O Arseneto de Gálio (GaAs) combina uma banda proibida direta com alta mobilidade eletrônica, tornando-se um material substrato amplamente utilizado para dispositivos de alta frequência e optoeletrônicos. As pastilhas GaAs da PWG suportam MMICs, HEMTs, HBTs, VCSELs, diodos laser e células solares de alta eficiência, disponíveis em múltiplos diâmetros, orientações de cristais e acabamentos superficiais prontos para Epi.
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InAs Wafer
O Power Wafertech Group fornece pastilhas de substrato de arseneto de índio (InAs) para detecção infravermelha, eletrônica de alta mobilidade e pesquisa avançada em semicondutores III-V. As opções disponíveis incluem InAs do tipo N e do tipo P, com diâmetros selecionados de pastilhas, orientações dos cristais e acabamentos superficiais para fabricação de dispositivos e crescimento epitaxial.
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GaSb Wafer
GaSb (Antimônio de Gálio) é o substrato preferido para epitaxia baseada em antimônio. Com uma constante de rede de 6,096 Å para excelente compatibilidade InAs/AlSb, é amplamente utilizado para detectores IR Tipo II Superlatrale (T2SL) e lasers de infravermelho médio. Disponível nos tamanhos 2", 3" e 4" com acabamentos de superfície prontos para Epi.
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Pastilha InSb
InSb (antimoneto de índio) está disponível para detectores infravermelhos MWIR e dispositivos magnetorresistivos. Opções tipo N e tipo P com superfícies prontas para epe estão disponíveis para suportar requisitos específicos de fabricação de dispositivos e crescimento epitaxial.
Ver DetalhesInvestigação Técnica
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