Pastilhas compostas III-V

GaSb Wafer

Com uma constante de rede de aproximadamente 6,096 Å, o GaSb (Antimonito de Gálio) oferece excelente compatibilidade de rede com materiais baseados em antimônio, como InAs, AlSb e InAsSb, tornando-se uma plataforma de substrato importante para detectores infravermelhos superlattice Tipo II (T2SL), lasers de infravermelho médio e dispositivos optoeletrônicos avançados. Pastilhas de GaSb estão disponíveis em múltiplos diâmetros, orientações de cristais e acabamentos superficiais para crescimento epitaxial e fabricação de dispositivos.

Tamanho — 2", 3" e 4"
Orientação — (100), (111)
Tipo de condução — Tipo N (dopado com Te) e tipo P (dopado com Zn)
Acabamento superficial — SSP ou DSP, pronto para epi-
Embalagem — Cassete de wafer único, selado a vácuo

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Especificações Detalhadas

Especificações publicadas por diâmetro de pastilha.

Select a diameter to review the corresponding published specification set.

Parâmetro	Substrato GaSb de 2" (50,8mm)
Tipo de condução	Tipo N
Dopante	Te
Orientação	(100) / (111)
Espessura	500±25um
TTV
Arco
Dobra
Mobilidade	2.000–3.500 cm²/V·s
Concentração de Porta-Aviões	(1–20) × 10¹⁷ cm⁻³
EPD	≤2.000 cm⁻²
Acabamento de Superfície	SSP / DSP, pronto para epi-
Flat	Padrão SEMI
Embalagem	Cassete de wafer único, selado a vácuo

Parâmetro	Substrato GaSb de 3" (76,2mm)
Tipo de condução	Tipo N
Dopante	Te
Orientação	(100) / (111)
Espessura	600±25um
TTV
Arco
Dobra
Mobilidade	2.000–3.500 cm²/V·s
Concentração de Porta-Aviões	(1–20) × 10¹⁷ cm⁻³
EPD	≤2.000 cm⁻²
Acabamento de Superfície	SSP / DSP, pronto para epi-
Flat	Padrão SEMI
Embalagem	Cassete de wafer único, selado a vácuo

Parâmetro	Substrato GaSb de 4"(100mm)
Tipo de condução	Tipo N
Dopante	Te
Orientação	(100) / (111)
Espessura	800±25um
TTV
Arco
Dobra
Mobilidade	2.000–3.500 cm²/V·s
Concentração de Porta-Aviões	(1–20) × 10¹⁷ cm⁻³
EPD	≤2.000 cm⁻²
Acabamento de Superfície	SSP / DSP, pronto para epi-
Flat	Padrão SEMI
Embalagem	Cassete de wafer único, selado a vácuo

Aplicações

Onde essa pastilha entrega valor

Detectores de Superrede Infravermelha Tipo II

O GaSb fornece uma plataforma de rede adequada para estruturas de superrede InAs/GaSb e Tipo II relacionadas, permitindo engenharia de gap de banda em uma ampla faixa de comprimentos de onda infravermelhos. Dispositivos típicos: Detectores de superrede tipo II (T2SL), detectores MWIR infravermelhos, detectores LWIR / VLWIR, matrizes de plano focal infravermelho (FPAs) Aplicações típicas: Imagem térmica, detecção de gases por infravermelho, espectroscopia, defesa e imagem aeroespacial. Substrato recomendado: GaSb do tipo N ou tipo P, de acordo com a estrutura epitaxial e do dispositivo.

Lasers e Fotônica no Infravermelho Médio

O GaSb é um material substrato importante para estruturas de laser de infravermelho médio à base de antimonideto e optoeletrônicas. Dispositivos típicos: Diodos laser de infravermelho médio LEDs IRs Dispositivos fotônicos à base de antimonito Estruturas de poço quântico e superrede Aplicações típicas: Sensoria de gases Monitoramento ambiental Diagnóstico médico Espectroscopia molecular Substrato recomendado: O GaSb do tipo N é comumente selecionado quando um substrato eletricamente condutor é necessário para a fabricação do dispositivo.

Aplicações Termofotovoltaicas

A banda proibida relativamente estreita do GaSb o torna adequado para células termofotovoltaicas (TPV) projetadas para converter radiação térmica em energia elétrica. Aplicações típicas: Recuperação de calor residual Captação de energia industrial Conversão térmica para elétrica Sistemas de energia por radioisótopos Substrato recomendado: GaSb do tipo P para estruturas selecionadas de dispositivos fotovoltaicos.

FAQ

Perguntas comuns sobre este produto

Respostas rápidas sobre seleção de materiais, personalização, testes e pedido.

Por que o GaSb é usado para detectores de superrede do Tipo II?

O GaSb fornece uma plataforma de rede adequada para InAs/GaSb e estruturas superreticuladas Tipo II relacionadas, possibilitando engenharia de banda proibida infravermelha por meio do projeto de heteroestruturas.

Qual pastilha GaSb é adequada para detectores infravermelhos T2SL?

Tanto GaSb do tipo N quanto do tipo P podem ser usados. O tipo de condutividade apropriado depende da epitaxial e arquitetura do dispositivo específica do T2SL.

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