Select a wafer type to view detailed specs
A exportação desse produto é regulamentada pelo Ministério do Comércio da RPC (MOFCOM). Uma licença de exportação deve ser obtida antes do envio.
A exportação desse produto é regulamentada pelo Ministério do Comércio da RPC (MOFCOM). Uma licença de exportação deve ser obtida antes do envio.
A exportação desse produto é regulamentada pelo Ministério do Comércio da RPC (MOFCOM). Uma licença de exportação deve ser obtida antes do envio.
O GaSb fornece uma plataforma adaptada em rede para superreticulados InAs/GaSb Tipo-II (T2SL), possibilitando engenharia de gap de banda em um amplo espectro infravermelho. Dispositivos típicos: detectores T2SL, detectores MWIR/LWIR/VLWIR, matrizes de plano focal infravermelho (FPAs). Aplicações: Imagem térmica, detecção de gases, espectroscopia, defesa e aeroespacial.
Substrato essencial para lasers de infravermelho médio à base de antimônio e estruturas fotônicas. Dispositivos típicos: diodos laser de infravermelho médio, LEDs IR, dispositivos fotônicos baseados em antimonideos, estruturas de poço quântico e superrede de rede quântica. Aplicações: Sensoria de gases, monitoramento ambiental, diagnóstico médico, espectroscopia molecular.
A estreita banda proibida do GaSb o torna ideal para células TPV que convertem radiação térmica em energia elétrica. Aplicações: Recuperação de calor residual, captação de energia industrial, conversão térmica para elétrica, sistemas de energia por radioisótopos.
Respostas rápidas sobre seleção de materiais, personalização, testes e pedido.
O GaSb fornece uma plataforma perfeitamente adaptada em rede para estruturas superreticuladas InAs/GaSb e relacionadas do tipo II. Isso permite crescimento epitaxial livre de deformação e engenharia precisa de gap de banda para detecção infravermelha em intervalos espectrais MWIR, LWIR e VLWIR.
Tanto substratos GaSb do tipo N quanto do tipo P podem ser usados para detectores T2SL. O GaSb do tipo N é tipicamente selecionado quando um substrato eletricamente condutor é necessário para a fabricação do dispositivo. O GaSb do tipo P é frequentemente usado para arquiteturas específicas de detectores.
Sim. O PWG é amigável para P&D para prototipagem. Apoiamos a personalização rápida de orientações, doping e tamanhos para atender às necessidades do seu dispositivo.
O wafer de fosfeto de índio (InP) é um semicondutor composto III-V de alta mobilidade, com banda proibida direta (1,34eV). Otimizado para RF de alta frequência (até THz), comunicações ópticas de 1,3–1,55μm e Circuitos Integrados Fotônicos (PICs) de baixo ruído. Com acabamentos de superfície de baixo EPD e prontos para epi.
Ver Detalhes
O Arseneto de Gálio (GaAs) combina uma banda proibida direta com alta mobilidade eletrônica, tornando-se um material substrato amplamente utilizado para dispositivos de alta frequência e optoeletrônicos. As pastilhas GaAs da PWG suportam MMICs, HEMTs, HBTs, VCSELs, diodos laser e células solares de alta eficiência, disponíveis em múltiplos diâmetros, orientações de cristais e acabamentos superficiais prontos para Epi.
Ver Detalhes
O Power Wafertech Group fornece pastilhas de substrato de arseneto de índio (InAs) para detecção infravermelha, eletrônica de alta mobilidade e pesquisa avançada em semicondutores III-V. As opções disponíveis incluem InAs do tipo N e do tipo P, com diâmetros selecionados de pastilhas, orientações dos cristais e acabamentos superficiais para fabricação de dispositivos e crescimento epitaxial.
Ver Detalhes
InSb (antimoneto de índio) está disponível para detectores infravermelhos MWIR e dispositivos magnetorresistivos. Opções tipo N e tipo P com superfícies prontas para epe estão disponíveis para suportar requisitos específicos de fabricação de dispositivos e crescimento epitaxial.
Ver DetalhesInvestigação Técnica
Compartilhe seu material, dimensões, especificações, estágio de aplicação ou projeto. Nossa equipe analisará suas necessidades e responderá em um dia útil.
Resposta liderada pela engenharia
As consultas são encaminhadas para a equipe técnica ou comercial apropriada.
Endereço
Nº 1389, Rua Lianmei, Zona Industrial Lianhua, Tong'an, Xiamen, Fujian 361100, China
Telefone
