Uma plataforma de modelo AlN-on-Si altamente versátil. A camada de AlN de alta qualidade suporta uma ampla gama de aplicações, incluindo epitaxia de potência GaN/RF, MEMS PIEZOELÉTRICOS (FILTROS SAW/BAW) e dispositivos fotônicos avançados, permitindo integração perfeita com processos maduros de fabricação de silício.

Os moldes de AlN no Sapphire apresentam filmes de AlN de alta qualidade cristalina, com baixa densidade de defeitos, excelente estabilidade térmica e fortes propriedades piezoelétricas. São ideais para LEDs de UV profundo, dispositivos de potência/RF, filtros SAW e fotônica integrada.

Pastilhas de silício monocristalinas projetadas para fabricação de dispositivos semicondutores, MEMS e crescimento epitaxial. Disponível em qualidade primária e de teste, com excelente planura, baixa densidade de defeitos e acabamentos de superfície personalizáveis para atender exatamente aos seus requisitos de processo.

Wafers de Si e de alta qualidade cultivados por CVD, apresentando espessura precisa, perfil de doping e controle de resistividade. Projetado com baixa densidade de defeitos e excelente uniformidade de espessura para CMOS avançado, dispositivos de energia discreta e fabricação de sensores.

Pastilhas de dióxido de silício de alta qualidade (pastilhas SiO2-on-Si) fabricadas por oxidação térmica precisa. Apresentando excelente uniformidade de espessura em nível de pastilha, baixa densidade de defeitos e superfícies prontas para processo para isolamento de semicondutores, óxidos de porta e fabricação de MEMS.