Fornecedor de Pastilhas e Epitaxia de Semicondutores Compostos | Grupo Power Wafertech

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Pastilhas GaN

GaN Template

O molde de GaN da PWG refere-se a camadas epitaxiais de GaN de alta qualidade cultivadas sobre substratos de safira, silício ou SiC. Fornecendo uma plataforma econômica e pronta para epinefria para o crescimento subsequente do GaN e fabricação avançada de dispositivos.

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Pastilhas GaN

Epitaxia LED GaN

As pastilhas epitaxiais de LED GaN da PWG são heteroestruturas AlGaN/InGaN cultivadas em MOCVD, projetadas para LEDs de alta eficiência UV, azul e verde. Com estruturas precisas de poço múltiplo quântico (MQW), essas pastilhas de epi oferecem alta eficiência quântica interna (IQE), emissão uniforme e confiabilidade superior do dispositivo.

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Pastilha Epitaxial de Silício

Pastilha Epitaxial de Silício

O Power Wafertech Group fornece pastilhas epitaxiais de silício (wafers Si epi) cultivadas por epitaxia avançada de CVD. Camadas epitaxiais de silício controladas com precisão são depositadas sobre substratos condutores para alcançar a espessura, perfil de dopagem e resistividade necessários para a fabricação de dispositivos semicondutores.
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Pastilhas GaN

Epitaxia GaN HEMT

Estruturas HEMT AlGaN/GaN cultivadas com precisão para comutação de RF de alta frequência e alta potência. Com buffers de baixo defeito e canais 2DEG de alta densidade para desempenho superior do dispositivo.

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Substrato de Silício

Substrato de Silício

O Power Wafertech Group fornece pastilhas de silício monocristalino para fabricação de dispositivos semicondutores, MEMS, crescimento epitaxial e aplicações de pesquisa. Podem ser fornecidos tanto wafers de silício de grau primário quanto de grau de teste.
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Pastilha de Dióxido de Silício

Pastilha de Dióxido de Silício

O Power Wafertech Group fornece pastilhas de dióxido de silício (SiO₂ on Si) fabricadas por oxidação térmica controlada de substratos de silício. Tanto a oxidação térmica seca quanto a oxidação térmica úmida estão disponíveis para diferentes espessuras de óxido e requisitos de processo. Nossas pastilhas SiO₂ apresentam espessura controlada de óxido, boa uniformidade no nível das pastilhas e superfícies prontas para epi/processo.
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TRÊS FAMÍLIAS DE MATERIAIS CENTRAIS

Materiais Engenheirados para o Seu Dispositivo Roteiro

Navegue por substratos e pastilhas de epi por família de materiais. Configurações padrão e especificações personalizadas disponíveis para P&D e produção em volume.

APLICAÇÕES & INDÚSTRIAS

Aplicações e Indústrias

CASO 01 / SISTEMAS DE ALTA TENSÃO

Eletrônica de Potência

Soluções de wafers de banda larga projetadas para arquiteturas 800V+. Garantindo conversão de energia de alta eficiência, comutação rápida e operação confiável em alta temperatura.

FOCO NA APLICAÇÃO

Motorizações de veículos elétricos · carregamento rápido · Acionamentos de motores industriais

PRODUTOS RECOMENDADOS

4H-SiC GaN

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ENGENHARIA PERSONALIZADA

Parâmetros além da lista padrão

Diâmetro e espessura personalizados
Orientação e corte
Doping & resistividade
Filmes finos e pilhas de camadas
Perfil de superfície e arestas
Marcação e embalagem
01Requisitos para enviar
02Revisão de engenharia
03Alinhamento de especificações
04Orçamento e prazo de entrega
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