Pastilhas Epitaxiais Semicondutoras III-V
Pastilha Epitaxial Semicondutora III-V
Heteroestruturas de precisão desenvolvidas por MOCVD/MBE em substratos InP, GaSb e GaAs. Projetado para HEMTs, pHEMTs, HBTs, diodos laser, VCSELs e detectores IR de alto desempenho. Suportando estruturas de epi personalizadas desde P&D até produção em volume.