O wafer de fosfeto de índio (InP) é um semicondutor composto III-V de alta mobilidade, com banda proibida direta (1,34eV). Otimizado para RF de alta frequência (até THz), comunicações ópticas de 1,3–1,55μm e Circuitos Integrados Fotônicos (PICs) de baixo ruído. Com acabamentos de superfície de baixo EPD e prontos para epi.

O Arseneto de Gálio (GaAs) combina uma banda proibida direta com alta mobilidade eletrônica, tornando-se um material substrato amplamente utilizado para dispositivos de alta frequência e optoeletrônicos. As pastilhas GaAs da PWG suportam MMICs, HEMTs, HBTs, VCSELs, diodos laser e células solares de alta eficiência, disponíveis em múltiplos diâmetros, orientações de cristais e acabamentos superficiais prontos para Epi.

O Power Wafertech Group fornece pastilhas de substrato de arseneto de índio (InAs) para detecção infravermelha, eletrônica de alta mobilidade e pesquisa avançada em semicondutores III-V. As opções disponíveis incluem InAs do tipo N e do tipo P, com diâmetros selecionados de pastilhas, orientações dos cristais e acabamentos superficiais para fabricação de dispositivos e crescimento epitaxial.

Com uma constante de rede de aproximadamente 6,096 Å, o GaSb (Antimonito de Gálio) oferece excelente compatibilidade de rede com materiais baseados em antimônio, como InAs, AlSb e InAsSb, tornando-se uma plataforma de substrato importante para detectores infravermelhos superlattice Tipo II (T2SL), lasers de infravermelho médio e dispositivos optoeletrônicos avançados. Pastilhas de GaSb estão disponíveis em múltiplos diâmetros, orientações de cristais e acabamentos superficiais para crescimento epitaxial e fabricação de dispositivos.

Com uma banda banda direta ultra-estreita de aproximadamente 0,17 eV a 300 K e mobilidade eletrônica excepcionalmente alta, o InSb é particularmente adequado para detecção infravermelha de comprimento de onda média (MWIR) na faixa de 3–5 μm. A PWG fornece pastilhas de Antimoneto de Índio (InSb) do tipo N e P para detecção infravermelha de alta sensibilidade, detecção magnética e eletrônica criogênica.

Substratos de GaN independentes (FS) são pastilhas nativas de GaN a granel, eliminando substratos estranhos (safira/silício). Com densidade de discordância ultrabaixa e alta qualidade cristalina, fornecendo a plataforma definitiva para diodos laser de alto desempenho, Micro-LEDs e dispositivos RF.